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未来PC内存将革命RAM可以永不丢失数据

发布时间:2019-07-18 02:27:42 编辑:笔名

未来PC内存将革命 RAM可以永不丢失数据!

传统闪存和DRAM仍然会服役很长一段时间,但是在操作系统、存储介质不断发展的情况下,未来的电脑文件存储和应用都将发生巨大的改变。

计算机技术发展至今,处理器已经从高主频转向多核心,电脑的内存介质也需要一次重大的革新。闪存介质的存储空间越来越大,比如2TB的SD卡、更大容量的SSD固态硬盘等,但在技术没有革新的情况下,瓶颈是在所难免的。

新一代的内存技术,不仅能够让闪存实现数百GB甚至几TB的容量,还能够改变DRAM无法长时间存储信息的弊端,让内存也可以存储文件,实现更先进的系统形态。

目前,已经拥有十几种正在开发的新型存储技术,将在未来改变计算机的硬件结构,下面来简单了解一下。

操作系统的影响

首先,更先进的数据存储方案也会在操作系统层面提升数据管理的效率。微软的文件系统专家SpencerShepler表示,如果能够让RAM在系统索引方面发挥更大作用,直接链接到文件并一直存储在RAM中,那么电脑的数据访问速度将获得极大的提升。

当然,如果RAM中的数据不会消失,还会引发一系列的问题。比如,当系统重新启动时如何检查系统完整性?那么,如何像使用硬盘那样把内存中的数据导出?如果不幸电脑感染病毒,那么内存中的数据不会消失,如何维护计算机的安全性?

这需要涉及到信息系统的重建,系统厂商需要开发出更先进的新技术来实现数据管理。

新一代内存的竞争者

传统DRAM内存使用的是电容材质进行数据的存储,必须隔一段时间刷新一次,所以无法实现数控的存储;而记忆电阻材质,则有可能成为其替代品。比如惠普正在研发的 忆阻器内存 ,可以使用离子氧化钽扩展或收缩电压,当电源关闭时,存储元件可以保持形态,数据不会丢失。目前,诸如松下、海力士、Rambus等多个厂商,都在使用不同的记忆电阻材质,来开发新型的RAM。目前记忆电阻内存的主要瓶颈在于速度,不过惠普表示随着技术的发展,记忆电阻的速度终会达到目前DRAM的速度。

记忆电阻内存

其他厂商也在类似的产品,如IBM,正在研究相变类存储介质,利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的,在加热和冷却时不会丢失数据;纳米RAM也是一种类似的原理,使用状碳纳米管材质来替代传统电容内存。

IBM相变存储芯片

不过,由于技术成本的关系,目前惠普主推的忆阻器内存有可能实现商用,但初期的价格仍会比较昂贵。显然,传统闪存和DRAM仍然会服役很长一段时间,但是在操作系统、存储介质不断发展的情况下,未来的电脑文件存储和应用都将发生巨大的改变。

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